Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные.
Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках.
За счёт перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором.
Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решёткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные. Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках. За счёт перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором. Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решёткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
Заработок / Отступы и поля / Добавления стилей / Новости / Преимущества стилей / Сайтостроение / Вёрстка / Интернет и связь / Изображения / Видео уроки / Текст
Под вайб-кодингом принято понимать процесс написания приложений, который не требует от участников познаний в сфере программирования. Код создаётся системой на базе...
Компания «М.Видео» подготовила рейтинг самых востребованных смартфонов на российском рынке по итогам осени 2025 года. Чаще всего покупатели выбирали доступные...
Оперативная память не стала единственной жертвой бума ИИ, вслед за ней владельцы ЦОД кинулись скупать жёсткие диски, а когда их перестало хватать, переключились на...
Eurocase представила в России новый корпус формата Mid Tower — M430ZF, ориентированный на требовательных пользователей и энтузиастов кастомных сборок. Модель сразу...
Комментарии (0)