Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные.
Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках.
За счёт перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором.
Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решёткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные. Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках. За счёт перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором. Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решёткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
Компания Starlink заключила соглашение с немецким телекоммуникационным гигантом Deutsche Telekom по внедрению технологии спутниковой связи на мобильных устройствах в...
Анализ последнего выпуска статистических данных об оборудовании игровых ПК Steam Survey, который Valve ежемесячно проводит для понимания тенденций рынка и определения...
Apple столкнулась с неэффективностью собственной облачной инфраструктуры Private Cloud Compute, предназначенной для обработки ИИ-запросов. Мощность серверов, специально...
Апокалиптические сценарии по порабощению человека искусственным интеллектом, возможно, останутся в фантазиях голливудских сценаристов, но в реальной жизни человеку уже...
Компания Starlink заключила соглашение с немецким телекоммуникационным гигантом Deutsche Telekom по внедрению технологии спутниковой связи на мобильных устройствах в ряде европейских стран. Проект...
Комментарии (0)