Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные.
Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках.
За счёт перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором.
Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решёткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные. Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках. За счёт перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором. Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решёткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
Прошло 16 лет с момента банкротства немецкой компании Qimonda, уходящей корнями в DRAM-бизнес компании Infineon. Тогда, в 2009 году, производство немецкой памяти...
Компания Type One Energy из Теннесси собирается построить первый в США термоядерный реактор, разработка которого полностью завершена. Первым и крупнейшим клиентом...
Microsoft добивается, чтобы все пользователи её платформы для совместной работы Teams использовали актуальную версию приложения. Поэтому, после выхода очередного...
В середине 1990-х годов Microsoft попыталась внедрить новый интерфейс Microsoft Bob (Utopia), заменив им устаревающую Windows 3.1. Bob должен был кардинально изменить...
Комментарии (0)