Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), ранее известная как Innotron, готовится начать производство динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с использованием технологического процесса 17 нм (10G3). Новая технология использует ряд инноваций и позволит компании как увеличить возможности своей памяти, так и расширить её ассортимент.
CXMT начала производство 4-Гбит и 8-Гбит микросхем памяти типа DDR4 на своей фабрике около города Хэфэй (провинция Аньхой, КНР) в сентябре прошлого года. В настоящее время компания использует технологический процесс 19 нм (10G1), который по многом опирается на технологии и интеллектуальную собственность компании Qimonda. Некоторое время назад, по мере освоения 10G1 и повышения уровня выхода годных чипов, CXMT начала использовать её для производства памяти LPDDR4X.
Согласно сообщению сайта DigiTimes, китайская компания завершила разработку технологического процесса 17 нм (10G3) и готовится начать его использование для изготовления памяти во второй половине этого года. Более того, первые 17-нм микросхемы CXMT также планируется отгрузить в 2020 году. не сообщает, какие микросхемы памяти будут производиться по технологии 17 нм изначально, но из ранних сообщений мы знаем, что 10G3 разрабатывалась с прицелом на DDR4, DDR5, LPDDR4X и LPDDR5.
Новый техпроцесс 10G3 продолжит полагаться на иммерсионную фотолитографию, но будет использовать новые конденсаторы, а также толстый алюминиевый ре-дистрибутивный слой (redistributive layer, RDL), который требуется для создания многослойных 2.5D и 3D микросхем. Последние используются как в мобильных устройствах, так и для серверных модулей памяти. При этом, следующее поколение технологии CXMT, 10G5, задействует HKMG диэлектрики (high-k metal gate), а также воздушные зазоры (air-gap), что благоприятно скажется на частотном потенциале будущих микросхем памяти.
В настоящее время власти Китая вкладывают значительные средства в различные высокотехнологичные компании в рамках проекта «Сделано в Китае 2025». Поскольку Китай потребляет около половины мирового объёма DRAM, развитие собственной индустрии имеет огромный смысл для этой страны. Будучи лишь одним из производителей DRAM в КНР, CXMT является самым успешным китайским изготовителем памяти.
Основанная в 2016 году, компания уже построила свой первый производственный комплекс с площадью «чистой» комнаты 65000 м2, чья производительность к концу 2020 года должна увеличиться до 120 тысяч пластин диаметром 300 мм, что сравнимо с производительностью фабрики SK Hynix около Уси (провинция Цзянсу, КНР).
Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), ранее известная как Innotron, готовится начать производство динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с использованием технологического процесса 17 нм (10G3). Новая технология использует ряд инноваций и позволит компании как увеличить возможности своей памяти, так и расширить её ассортимент. CXMT начала производство 4-Гбит и 8-Гбит микросхем памяти типа DDR4 на своей фабрике около города Хэфэй (провинция Аньхой, КНР) в сентябре прошлого года. В настоящее время компания использует технологический процесс 19 нм (10G1), который по многом опирается на технологии и интеллектуальную собственность компании Qimonda. Некоторое время назад, по мере освоения 10G1 и повышения уровня выхода годных чипов, CXMT начала использовать её для производства памяти LPDDR4X. Согласно сообщению сайта DigiTimes, китайская компания завершила разработку технологического процесса 17 нм (10G3) и готовится начать его использование для изготовления памяти во второй половине этого года. Более того, первые 17-нм микросхемы CXMT также планируется отгрузить в 2020 году. не сообщает, какие микросхемы памяти будут производиться по технологии 17 нм изначально, но из ранних сообщений мы знаем, что 10G3 разрабатывалась с прицелом на DDR4, DDR5, LPDDR4X и LPDDR5. Новый техпроцесс 10G3 продолжит полагаться на иммерсионную фотолитографию, но будет использовать новые конденсаторы, а также толстый алюминиевый ре-дистрибутивный слой (redistributive layer, RDL), который требуется для создания многослойных 2.5D и 3D микросхем. Последние используются как в мобильных устройствах, так и для серверных модулей памяти. При этом, следующее поколение технологии CXMT, 10G5, задействует HKMG диэлектрики (high-k metal gate), а также воздушные зазоры (air-gap), что благоприятно скажется на частотном потенциале будущих микросхем памяти. В настоящее время власти Китая вкладывают значительные средства в различные высокотехнологичные компании в рамках проекта «Сделано в Китае 2025». Поскольку Китай потребляет около половины мирового объёма DRAM, развитие собственной индустрии имеет огромный смысл для этой страны. Будучи лишь одним из производителей DRAM в КНР, CXMT является самым успешным китайским изготовителем памяти. Основанная в 2016 году, компания уже построила свой первый производственный комплекс с площадью «чистой» комнаты 65000 м2, чья производительность к концу 2020 года должна увеличиться до 120 тысяч пластин диаметром 300 мм, что сравнимо с производительностью фабрики SK Hynix около Уси (провинция Цзянсу, КНР).
Заработок / Отступы и поля / Добавления стилей / Новости / Преимущества стилей / Сайтостроение / Вёрстка / Интернет и связь / Изображения / Видео уроки / Текст
Под вайб-кодингом принято понимать процесс написания приложений, который не требует от участников познаний в сфере программирования. Код создаётся системой на базе...
Компания «М.Видео» подготовила рейтинг самых востребованных смартфонов на российском рынке по итогам осени 2025 года. Чаще всего покупатели выбирали доступные...
Оперативная память не стала единственной жертвой бума ИИ, вслед за ней владельцы ЦОД кинулись скупать жёсткие диски, а когда их перестало хватать, переключились на...
Eurocase представила в России новый корпус формата Mid Tower — M430ZF, ориентированный на требовательных пользователей и энтузиастов кастомных сборок. Модель сразу...
Комментарии (0)